西瓜改良式前期生长的环境条件


  在生产实践和试验中对地膜平面授盖进行了改进,克服了平盖的一些缺陷,保证了西瓜前期生长的环境条件。如烘干、穴式和沟式,前期使苗子在膜下生长,伸蔓期后再让苗子在膜上面生长。这几种方式通称为改良式地膜覆盖,也称是先益天后盖地式覆盖。


  (1)拱式覆盖:不论是育苗移栽或者催芽直播,在播种或定植畦上或者垄上,用柳条或紫德槐条作成宽30厘米、高15‘,20厘米、长度不限的小拱棚,地膜扣好,令苗子在小拱棚'E生长。小拱棚里的温度比房地温度一胶高52以上。同时,也能防风,在春季低温多风季节,采用这种方式种植西瓜很适宜。幼苗在小拱棚生长过程巾,要注意棚内的温度变化。可根据情况在上午10点钟后、温度在35℃左有时应进行通风降温,以防烤苗。幼苗在小棚内可生长30天左右。应以苗子伸蔓为准,当西瓜苗出现6—7片真叶时可将小棚拱架撤去,格膜开口令植株露出,地膜压在地面上,作地膜盖好。


  (2)穴式覆盖:也称窑穴平盖法。具体作法:在已作好的吱面,按照规定的株行距,挖成窑穴。穴的大小和深度应根据苗子在穴内生长时间长短而定。一般情况是穴的形式为个图形,南侧为半圆,北侧为直线形v穴区南低北高,以利寸;阳光照射。半圆半径为15—20匣米。深为20厘米。将催芽的种子播于穴的北面,栽苗也同样树苗栽于靠穴的北侧。然后将膜平盖于硅面上。这种方式不用支架,苗子在面积很小的六内生长,穴内温度变化幅度很大,要注意通风。特别是征晴天的中午前后温度—亡升很快,要进行通风降温,以防烤